中国上海,2013年4月26日—2012年度上海市科学技术奖励大会4月19日上午在上海展览中心隆重召开。市委书记韩正向大会表示热烈祝贺,市委副书记、市长杨雄出席会议并作重要讲话。上海宏力半导体制造有限公司(以下简称“宏力”)承担的“0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术与工艺开发”项目继获得2011年浦东新区科技进步一等奖后,再获2012年度上海市科技进步二等奖。
0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术由宏力自主研发,其IP面积小,且具有很高的耐擦写能力和数据保持特性,可重复擦写10万次,数据保持100年,达到国际汽车电子AEC-Q100标准。在此工艺平台上,宏力已设计出用于汽车发动机控制的32位高端高可靠MCU。搭载0.18微米嵌入式自对准分栅闪存技术的产品已大量投放北美、欧洲和国内市场,国内主要应用于各种智能卡和智能电表,如2010年上海世博会手机支付和2011年手机深圳通产品。
该项目在研发期间,累计获得7件授权专利,其中1件为美国专利,在国内外发表论文3篇,被SCI、EI收录3次,并与中国科学院上海微系统与信息技术研究所合作培养了2名博士研究生。